深圳新聞網2025年11月10日訊(記者 何亞南)在當前全球半導體產業格局深刻變革的背景下,我國高端裝備自主化進程迎來里程碑式突破。近日,鑫巨(深圳)半導體科技有限公司(以下簡稱:鑫巨半導體)成功向國內某頭部客戶交付了首臺完全自主研發的電化學沉積設備(ECD),并憑借該設備實現了量產需求下的高良率小批量生產。這不僅標志著我國在高端半導體關鍵工藝裝備領域實現重大突破。更在決定下一代芯片性能的“玻璃基板”新賽道上,具備了與國際先進水平同臺競技的實力與底氣,為保障國家產業鏈供應鏈安全穩定注入了強勁動能。
據悉,本次交付的ECD設備及其配套的VCL刻蝕設備,均由鑫巨半導體自主完成研發,其中軟硬件均全部自研,技術路線與應用方向均屬于全新突破。該設備將應用于下一代先進封裝的核心載體——玻璃基板。隨著摩爾定律逼近物理極限,芯片性能提升路徑正逐步從“制程微縮”轉向“封裝革命”。玻璃基板憑借其超低翹曲度、超高表面平整度以及優異的高頻電學特性,成為2.5D/3D集成、芯粒(Chiplet)互連的理想選擇,可實現互連密度提升10倍、功耗降低30%,為AI訓練與推理芯片、高帶寬存儲(HBM)、光子集成等高端器件提供關鍵支撐。值得一提的是,該ECD設備在玻璃基板制造中的精度控制,是目前AI芯片載體加工中難度最高、最為關鍵的制造工藝環節。


該設備在技術上具備高度兼容性,支持12英寸圓形玻璃芯片以及310×310mm、515×510mm、610×610mm等大尺寸方形玻璃基板,具備RDL 2微米線寬/線距與TGV 深孔填充1:20深寬比的量產穩定性,技術指標達到國際先進水平,部分關鍵性能甚至優于國外同類產品。這標志著中國半導體產業鏈在“玻璃基板新賽道”上,首次具備與國際巨頭同步競爭,甚至實現局部領先的能力。


從底層架構到控制系統,從工藝模塊到整機集成,鑫巨半導體堅持完全正向開發,建立起完善的核心技術體系和自主知識產權布局,真正實現了從“0”到“1”的跨越。這一成果不僅夯實了我國高端裝備制造的自主根基,也為產業鏈供應鏈安全提供了有力保障。
鑫巨半導體相關負責人表示,“未來鑫巨半導體將繼續秉持開放合作的理念,深化與國內外產業鏈伙伴的協同創新,積極參與國家重大技術攻關,持續打造更多具有自主知識產權的高端半導體裝備,為構建安全、可控、先進的半導體產業生態貢獻更多力量。”
(本文由鑫巨半導體供圖)